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肖特基二极管常用封装有哪些?

时间:2025-06-19 阅读量:1

肖特基二极管(SBD)的封装形式直接影响其散热性能、电流容量及适用场景。以下是基于技术标准与工程实践的系统化梳理,涵盖插件式、贴片式、特殊封装及选型逻辑四大维度:
一、插件式封装:传统大功率场景的主力军
DO-41封装
技术特点:轴向引脚,直径约2.7mm,适用于大电流(>1A)场景。
典型型号1N581720V/1A)、1N582240V/3A)。
应用场景:电力电子设备、电机驱动、工业电源。
DO-15封装
技术特点:金属-玻璃封装,抗振动性能强,温区覆盖-55℃175℃
典型型号MBR20100CT100V/20A)、MBR3045PT45V/30A)。
应用场景:汽车电子、航空航天、军事装备。
DO-201封装
技术特点:大尺寸插件封装,散热性能优异,适用于高压大电流场景。
典型型号STPS60SM100C100V/60A)、C8D20120D1200V/20A)。
应用场景:光伏逆变器、电动汽车充电桩、高压直流电源。
二、贴片式封装:高密度集成与自动化生产的优选
SOD-123封装
技术特点:小型贴片封装,尺寸约3.7mm×1.6mm,适用于空间受限场景。
典型型号BAT54C30V/0.2A)、B5819WS40V/1A)。
应用场景:智能手机、物联网模块、TWS耳机。
SMA/SMB/SMC封装
技术特点
SMA:尺寸约5.2mm×2.1mm,电流容量1A-10A
SMB:尺寸约6.7mm×3.7mm,电流容量5A-20A
SMC:尺寸约10.7mm×5.6mm,电流容量10A-40A
典型型号MBR10100100V/10A)、MBR20100100V/20A)。
应用场景:消费电子、通信设备、汽车电子。
TO-277/D2PAK封装
技术特点
TO-277:表面贴装功率封装,集成散热焊盘,功率可达100W
D2PAK:大尺寸功率封装,电流容量达60A
典型型号C8D20120D1200V/20A)、STPS60SM100C100V/60A)。
应用场景:工业控制、新能源汽车、电力电子。
三、特殊封装:定制化场景的技术突破
MELF封装
技术特点:圆柱形无引脚设计,寄生电感低,高频特性优异。
典型型号PMEG3010EH30V/1A)、BAS70100V/0.2A)。
应用场景:射频电路、精密测量、航空航天。
柔性封装
技术特点:采用纳米银线与肖特基结复合结构,实现可弯曲设计(弯曲半径<1mm)。
典型型号:定制化柔性SBD
应用场景:可穿戴设备、柔性电子、医疗植入物。
集成化封装
技术特点:将肖特基二极管与MOSFETTVS二极管等元件集成,减少寄生电感。
典型型号PCM60N03SBD+MOSFET单芯片集成)。
应用场景5G基站电源、数据中心服务器、电动汽车OBC
四、选型逻辑与场景匹配
电流与功率需求
小电流场景<1A):优先选SOD-123封装,兼顾小型化与成本。
中电流场景1A-10A):SMA/SMB封装平衡性能与空间。
大电流场景>10A):SMC/TO-277封装确保散热与可靠性。
散热与可靠性要求
高功率场景:选TO-277/D2PAK封装,利用散热焊盘降低热阻。
振动环境:优先DO-15金属-玻璃封装,抗振动性能提升3倍。
高频与小型化需求
射频电路:选MELF封装,寄生电感低至0.5nH
便携设备:选SOD-123或定制化柔性封装,适应微型化趋势。
特殊场景定制化
汽车电子:确认AEC-Q101认证,优先DO-15SMC封装。
航天应用:验证抗辐射能力与机械强度,选特殊封装或定制型号。
五、封装技术发展趋势
功率密度提升:通过3D封装技术,SMC封装功率密度达3W/mm²
小型化突破0201贴片肖特基二极管(0.6mm×0.3mm)已进入量产阶段。
集成化设计SBDMOSFET单芯片集成,寄生电感降低60%
材料创新SiC肖特基二极管在高压、高频场景效率提升20%以上。
通过封装形式、电流容量、散热性能及特殊功能的综合匹配,可构建适配不同场景的肖特基二极管选型方案。实际工程中需结合电路仿真与可靠性测试验证,确保封装与需求深度契合。
 
 

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