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整流二极管型号有哪些？

时间：2025-06-20 阅读量：1

整流二极管型号全解析：从经典型号到新兴技术
整流二极管作为电子电路的核心元件，其型号体系涵盖从低压小电流到高压大功率的全场景需求。以下从经典型号、技术分类、选型逻辑及行业趋势四个维度，系统梳理2025年整流二极管型号的技术图谱。

一、经典型号矩阵：覆盖全场景需求
1N系列：通用整流标杆
型号示例：1N4001（VR=50V）、1N4007（VR=1000V）
技术特点：IF=1A，trr=3kHz，适用于低频整流。1N4007因高耐压（1000V）成为电源适配器、小家电标配。
封装演进：从DO-41直插封装到SMA贴片封装，适配自动化生产需求。
1N5408系列：高功率整流代表
参数亮点：IF=3A，VR=1000V，trr=500ns，兼顾大电流与高频特性。
应用场景：电动车充电器、工业电源模块，可承受瞬态浪涌电流达200A。
HER/FR系列：高频应用主力
HER208：IF=2A，VR=1000V，trr=35ns，适用于开关电源二次整流。
FR307：IF=3A，trr=50ns，在LED驱动电源中市占率超40%。
肖特基系列：低压高效典范
1N5819：VF=0.3V，IF=3A，trr=10ns，广泛用于DC-DC转换器。
MBR20100：IF=20A，VR=100V，在电池管理系统中实现98%转换效率。
二、技术分类：从硅基到宽禁带材料
硅基二极管
普通整流管：如1N4007，trr≥3kHz，适用于50Hz工频整流。
快恢复二极管（FRD）：trr=50-200ns，如FR107，用于开关电源。
超快恢复二极管（UFRD）：trr<50ns，如UF4007，适配高频通信设备。
宽禁带半导体二极管
SiC二极管：如C3D04060A（600V/18A），trr=15ns，工作温度达175℃，应用于新能源汽车OBC。
GaN二极管：如GPV1020（200V/10A），开关损耗较Si基产品降低60%，推动5G基站电源小型化。
三、选型逻辑：参数匹配与场景适配
基础参数筛选
耐压冗余设计：VR需高于电路峰值电压20%-30%。例如，220V AC应用需选VR≥600V（如1N4006）。
电流裕量：IF需大于实际工作电流1.2-1.5倍。大功率场景（如工业逆变器）需选IF≥100A型号。
高频场景优化
trr选择：开关电源需trr<50ns（如UF4007），避免EMI问题。
结电容控制：小信号整流需CO<10pF，如BAS70系列用于射频电路。
特殊场景适配
高温环境：选TO-220封装并配散热片，或直接使用SiC二极管（如C3D系列）。
微型化需求：0402封装二极管（如ROHM的RLB系列）适用于可穿戴设备。
四、行业趋势：技术融合与市场变革
材料革命
SiC渗透加速：2025年SiC二极管在电动汽车充电桩市场占比预计达35%，较2020年提升25个百分点。
GaN商业化突破：氮化镓二极管在5G微基站电源中实现批量应用，体积较Si方案缩小60%。
封装创新
DFN封装：如DFN2020系列，热阻低至20℃/W，适配高密度电源模块。
嵌入式封装：将二极管与驱动IC集成，如Infineon的IPP040N04N G，简化电路设计。
国产替代加速
扬杰科技：推出1200V/200A SiC模块，性能对标CREE产品，价格低20%。
士兰微：开发出车规级SiC二极管，通过AEC-Q101认证，切入比亚迪供应链。
总结
整流二极管型号选择需建立“参数-场景-成本”三维模型：低压高频场景优先肖特基/UFRD，高压大电流场景选SiC/FRD，消费电子侧重微型化封装，工业领域关注可靠性认证。随着SiC、GaN材料普及，整流二极管正向“高频、高效、高温”三重极限突破，型号体系将持续迭代以适配能源革命与智能硬件创新需求。

整流二极管型号有哪些？

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