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441系列力特0603贴片保险丝
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DFN3810-9L 静电保护器
DFN4120-10L 静电保护器
DFN5515-18L 静电保护器
DIODES(美台) 三极管
DIODES(美台) 放大器
DIODES(美台)二极管
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ELLON 0102晶圆电阻
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ELLON 0805精密电阻
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HGSEMI(华冠)放大器
Hottech(合科泰) 三极管
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i-CORE(中微爱芯)逻辑芯片
Infineon(英飞凌) 放大器
Infineon(英飞凌)三极管
Infineon(英飞凌)二极管
Jingdao(晶导微)二极管
KEMET钽电容
LFC/LFP 电力保险丝31.5A-80A 500VAC/125VDC
Linear(凌力尔特)放大器
LRC(乐山无线电)二极管
LRC(乐山无线电)半导体放电管
LRC(乐山无线电)存储芯片
LRC(乐山无线电)射频芯片
LRC(乐山无线电)放大器
LRC(乐山无线电)整流桥
LRC(乐山无线电)模拟IC
LRC(乐山无线电)电源管理IC
LRC(乐山无线电)稳压IC
LRC(乐山无线电)达林顿管
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Maxim(美信)放大器
MDD(辰达)二极管
MF72-SCN0.7D-20~10D-20 NTC插件热敏电阻
MF72-SCN0.7D-25~5D-25 NTC插件热敏电阻
MF72-SCN1.3D-13~16D-13 NTC插件热敏电阻
MF72-SCN1.3D-15~47D-15 NTC插件热敏电阻
MF72-SCN2.5D-11~60D-11 NTC插件热敏电阻
MF72-SCN2.5D-9~300D-9 NTC插件热敏电阻
MF72-SCN5D-5~200D-5 NTC插件热敏电阻
MF72-SCN5D-7~200D-7 NTC插件热敏电阻
MFR0508天二开云足彩app下载官网
MFR1225天二长电极电阻
MHC/MHP 电力保险丝10A-30A 500VAC/500VDC
Microchip(微芯科技)存储器
Microchip(微芯科技)放大器
Microchip(微芯科技)逻辑芯片
Micron(镁光)存储器
MOV 05D-20D插件压敏电阻
MOV 25D-53D插件压敏电阻
MSOP-8 静电保护器
MTPP 电力保险丝40A-40A 250VAC
MXIC(旺宏电子)存储器
Nexperia(安世) 三极管
Nexperia(安世) 接口芯片
Nexperia(安世)二极管
Nexperia(安世)逻辑芯片
NXP(恩智浦) 接口芯片
NXP(恩智浦)逻辑芯片
ON(安森美)二极管
ON(安森美)存储器
ON(安森美)放大器
ON(安森美)电子保险丝
ON(安森美)逻辑芯片
Panasonic(松下)热敏电阻
PANJIT(强茂)二极管
PUYA(普冉)存储器
REALTEK(瑞昱)
Renesas(瑞萨) 放大器
ROHM(罗姆) 放大器
ROHM(罗姆)二极管
ROHM(罗姆)存储器
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SGD0603-2L 静电保护元件
SGD1006-2L 静电保护元件
SGMICRO(圣邦微) 放大器
Shiheng(时恒)热敏电阻
SK(时科) 二极管
Slkor(萨科微) 二极管
SOD-123 静电保护器
SOD-323 静电保护器
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SOT-323 静电保护器
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SOT23-5L 静电保护器
SOT23-6L 静电保护器
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ST(意法)二极管
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TWGMC(迪嘉) 二极管
Vishay(威世) 二极管
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WD25 电力保险丝150A-250A 750VDC
WD35 电力保险丝150A-400A 800VDC
WD50 电力保险丝200A-400A 300VDC
WD60 电力保险丝200A-600A 500VDC
WD60X 电力保险丝500A-500A 500VDC
WD70电力保险丝250A-600A 700VDC
WD80电力保险丝200A-500A 250VDC
WE30电力保险丝50A-600A 700VDC
WE35电力保险丝60A-150A 800VDC
WE40电力保险丝500A-600A 800VDC
WE50电力保险丝60A-300A 500VAC
WE55电力保险丝100A-400A 200VAC
WH25电力保险丝50A-100A 800VDC
WH30电力保险丝10A-250A 500VDC
WH40电力保险丝5A-150A 700VDC
WH60电力保险丝20A-400A 150VDC
WHFMM 电力保险丝 500A~700A 690VAC/50KA~500VDC/10KA
Winbond(华邦)存储器
WJ30电力保险丝4A-30A 1500VDC
WJ45电力保险丝5A-50A 800VDC
WJ50电力保险丝5A-10A 700VDC
WJ60电力保险丝63A-125A 500VAC
WL10电力保险丝5A-60A 200VDC
WL20电力保险丝5A-50A 500VDC
WL25电力保险丝2A-30A 600VAC/600VDC
WL30电力保险丝5A-50A 700VDC
WL40电力保险丝440mA-15A 1000VAC/1000VDC
WL50电力保险丝1A-30A 1000VDC
WL55电力保险丝2.5A-6A 1500VDC
WL60电力保险丝2A-15A 1500VDC
WM10电力保险丝200mA-12A 600VAC/600VDC
WM20电力保险丝200mA-3A 660VAC/1000VDC
WM30电力保险丝200mA-30A 660VAC/660VDC
WM40电力保险丝15A-30A 660VAC/660VDC
WM50电力保险丝20A-50A 250VAC/150VDC
WM70电力保险丝5A-50A 75VAC
WN30电力保险丝200mA-20A 500VDC
WS80 电力保险丝 100A 1500VDC/20KA
YANGJIE(扬杰科技)
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东沃TVS管
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东芝(TOSHIBA)微处理器
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东芝(TOSHIBA)放大器
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东芝(TOSHIBA)电源管理IC
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光颉 0603精密电阻
光颉 1206精密电阻
光颉0102 晶圆电阻
光颉0204 晶圆电阻
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华德2000圆形超小型保险丝
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华德WEH1保险丝座与配件 30*65
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华德WL-206保险丝座与配件 6.35X30 & 6.35X31.75
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电阻时效的原因有哪几种?
时间:2025-07-09
阅读量:22
电阻失效的原因多种多样,可以归纳为以下几个主要类别:
1.
过功率(过热): 这是最常见的原因。
原因:
流过电阻的电流过大(或施加的电压过高),导致其实际消耗功率(
P = I²R
或
P = V²/R
)超过其额定功率。
后果:
烧毁开路:
电阻材料(如薄膜、厚膜、绕线)因过热而熔断、汽化或严重氧化,导致电路断开。
阻值永久漂移:
材料特性因高温发生不可逆改变,阻值显著增大或减小。
外观变化:
电阻体表面发黑、烧焦、起泡、涂层剥落,引线变色。
诱因:
电路设计错误(功率裕量不足)、负载短路、元件失效导致电流异常增大、散热不良(环境温度过高、通风差、
PCB
布局不合理)、浪涌电流(开机瞬间、雷击、开关操作)。
2.
过电压(电压击穿):
原因:
施加在电阻两端的电压超过了其最大工作电压或脉冲耐压极限。
后果:
电弧
/
闪络: 在高阻值电阻(特别是高压应用中的薄膜电阻)上,过高的电压可能在电阻体表面或内部相邻导体间产生电弧放电。
内部击穿:
电阻体内部绝缘介质(对于某些结构)或材料本身被电击穿。
阻值漂移或开路:
电弧或击穿会烧毁局部材料,导致阻值永久改变或开路。
诱因:
设计电压裕量不足、高压浪涌(
ESD
、雷击、开关瞬态)、绝缘设计不良(爬电距离、电气间隙不足)。
3.
环境应力:
温度:
高温:
长期暴露在高温下会加速电阻材料老化、氧化、内部应力释放,导致阻值逐渐漂移(通常增大)。极端高温会直接导致烧毁。
低温:
某些材料在极低温下可能变脆或阻值特性发生显著变化。温度循环(热冲击)会导致材料膨胀收缩不一致,产生机械应力,可能引起开裂、焊点失效或阻值不稳定。
湿度
/
化学腐蚀:
电解腐蚀:
在有电压存在和潮湿环境下(特别是存在离子污染时),电阻的电极(尤其是银电极)可能发生电化学迁移或腐蚀,导致阻值增大、开路或短路(枝晶生长)。
硫化
/
氧化: 含硫环境(如橡胶、某些密封材料释放)会使银电极硫化变黑,导致接触电阻增大甚至开路。暴露在腐蚀性气体中也会腐蚀电极和电阻体。
机械应力:
振动
/
冲击: 剧烈的振动或冲击可能导致电阻体破裂、内部连接断裂(薄膜开裂、厚膜剥离)、引线断裂或焊点开裂(失效)。
机械过载:
安装或维修时施加过大的外力(如过度弯折引线)可能导致内部损伤。
辐射:
高能辐射(如太空、核环境)会改变半导体材料的特性(影响
SMD
电阻中的硅基底或某些薄膜),导致阻值漂移。
4.
制造缺陷
/
材料退化:
内部缺陷:
电阻膜层不均匀、存在针孔、杂质、内部微裂纹等。
焊接不良:
引脚与电阻体焊接不牢(虚焊、冷焊),或
PCB
焊点不良。
电极
/
端接问题: 电极材料与电阻体接触不良、电极本身存在缺陷或老化。
封装问题:
封装材料密封性差导致湿气侵入、封装开裂。
材料老化:
长期使用中,材料本身的物理化学性质缓慢变化(如粘合剂老化、金属扩散),导致阻值缓慢漂移(通常在规格书规定的寿命内是允许的,但超出或劣质元件会显著失效)。
5.
静电放电:
原因:
高电压、短时间的
ESD
脉冲施加在电阻上(尤其是高阻抗电路中的电阻)。
后果:
可能导致薄膜电阻的薄膜层被击穿烧毁一个小坑,造成阻值局部增大或开路。对于精密或高阻值电阻影响尤其大。
6.
过电流(非过热主导):
原因:
虽然与过功率相关,但特别强调瞬间极大的电流(如短路)。
后果:
保险电阻:
设计用于在过流时快速熔断开路,起到保险丝作用。
引线
/
焊点熔断: 电流过大导致引线或焊点先于电阻体熔断。
金属膜
/
箔电阻: 可能承受高脉冲电流较好,但极端情况仍会损坏。
绕线电阻:
导线可能熔断。
厚膜
/
薄膜电阻: 导电通路可能被烧毁。
7.
脉冲应力(超出额定值):
原因:
电阻承受了超过其额定脉冲功率或脉冲电压的瞬态信号。
后果:
类似过功率和过电压,导致局部过热或击穿,阻值漂移或开路。金属氧化物电阻等对脉冲承受能力相对较差。
失效模式总结:
开路:
最常见模式(烧断、腐蚀断、断裂、熔断)。
阻值漂移:
显著超出容差范围(增大或减小)。
短路:
相对少见,但可能由内部击穿、严重污染(电化学迁移)、外部导体搭接引起。
参数退化:
如温度系数变差、噪声增大、电压系数变差等。
预防措施:
合理选型:
功率裕量(通常降额
50%
使用)、电压裕量、阻值容差、温度系数、脉冲承受能力、环境适应性(防水防潮防硫化)。
良好设计:
散热设计(散热片、
PCB
铜箔)、抑制浪涌(
TVS
、
RC
吸收)、保证电气间隙和爬电距离。
优化制造工艺:
保证焊接质量。
控制环境:
避免高温、高湿、腐蚀性环境、剧烈振动;必要时使用防护涂层或灌封。
ESD
防护: 设计和使用时注意防静电。
理解电阻失效的根本原因对于电路设计、故障分析、可靠性提升和选择合适的电阻类型至关重要。
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