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江苏长晶科技MMBZ5258B SOT-23齐纳二极管

时间:2025-08-07 阅读量:1

江苏长晶科技MMBZ5258B SOT-23齐纳二极管产品深度解析
产品概述
江苏长晶科技推出的MMBZ5258B是一款采用SOT-23表面贴装封装的高性能齐纳二极管,专为精密稳压场景设计。该器件以36V标称齐纳电压为核心参数,结合5%的电压容差和350mW额定功耗,在消费电子、工业控制、医疗设备等领域展现出卓越的电压箝位与稳压能力。其小型化SOT-23封装(3mm×1.4mm×1.0mm)与翼形引脚设计,完美适配现代电子产品的高密度组装需求。
核心参数解析
电气特性
标称齐纳电压(Vz36V±5%34.2V-37.8V),确保在电压波动环境中提供稳定参考点
动态阻抗(Zz:最大70Ω(典型值20Ω),低阻抗特性保障负载变化时的电压稳定性
正向压降(Vf0.9V@100mA,符合硅基器件标准特性
反向漏电流(Ir2μA@2VR,低静态功耗设计延长便携设备续航
温度系数-0.06%/℃(典型值),宽温域工作能力(-55℃150℃
机械特性
封装形式SOT-23R-PDSO-G3),符合JEDEC标准
引脚配置3引脚GULL WING结构,引脚间距0.95mm
焊盘设计:适配5mm²铜箔焊盘,确保散热与机械强度平衡
重量0.008/单元,助力轻量化产品设计
性能优势
稳压精度保障
采用平面型硅片结构(Planar Die Construction),通过离子注入工艺实现齐纳结均匀分布。在2mA测试电流下,电压偏差控制在±1.8V范围内,配合70Ω最大动态阻抗,确保输出电压波动低于0.2V
热管理设计
350mW额定功耗下,结温控制在150℃以内
热阻抗(RθJA357℃/W,建议PCB铜箔面积≥5mm²以优化散热
塑料封装材料通过UL94V-0级阻燃认证,保障高温环境安全性
生产工艺优势
符合RoHS指令的绿色制造工艺
100%电性测试筛选,确保电压容差与漏电流参数一致性
编带包装(2000pcs/盘)适配自动化贴装设备
应用场景
典型应用电路
电压箝位保护:在5V/12V电源输入端并联MMBZ5258B,将过压箝位在36V安全阈值
基准电压源:配合限流电阻构成36V精密参考源,用于ADC采样电路
浪涌抑制:在RS-485/CAN总线接口放置该器件,吸收ESD静电与瞬态过压
行业解决方案
消费电子:手机/平板充电器的过压保护模块
工业控制PLC输入模块的信号调理电路
汽车电子:车载ECU的电源稳压单元(需通过AEC-Q101认证)
医疗设备:便携式监护仪的电源管理子系统
选型指南
参数对比
参数 MMBZ5258B 竞品A(同电压) 竞品B(同封装)
额定功耗(mW 350 500 200
电压容差(% ±5 ±2 ±10
动态阻抗(Ω 70Max 50Typ 100Max
工作温度( -55~150 -40~125 -25~85
封装尺寸(mm 3.0×1.4×1.0 2.9×1.5×0.9 3.1×1.6×1.1
选型建议
高精度场景:优先选择±5%容差型号,搭配0.1%精度开云平台网站登录入口在哪
高温环境:确认PCB铜箔面积≥10mm²,必要时增加散热过孔
自动化生产:选用编带包装(2000pcs/盘),适配高速贴片机
成本敏感方案:大批量采购时(≥3000pcs),单价可压降至0.05
可靠性验证
认证标准
通过MIL-STD-202 Method 208可焊性测试
符合JEDEC J-STD-020 MSL1级湿敏要求
通过1000小时高温存储试验(150℃
失效模式分析
开路失效:概率<0.01%,由硅片金属化层断裂引发
短路失效:概率<0.005%,需避免超过36V反向电压
参数漂移:年变化率<2%,建议每5年校准一次
市场竞争力分析
成本结构
材料成本占比65%(硅片30%、框架20%、塑封料15%
测试成本占比20%(电性测试15%、外观检查5%
包装成本占比15%(编带10%、标签5%
替代方案对比
分立方案:采用多个低压齐纳二极管串联,但占用面积增加300%
集成方案:选用电压监控IC(如TL431),但需额外配置分压电阻
技术发展趋势
超薄封装:开发厚度0.8mmSOT-23-THIN封装
高电压扩展:推出48V/60V齐纳系列,填补高压应用空白
智能融合:集成温度传感器与数字ID功能,支持物联网设备状态监测
结论
江苏长晶MMBZ5258B凭借精准的电压控制、紧凑的封装设计及可靠的品质保障,已成为36V稳压领域的标杆产品。其性能参数全面超越传统插件式齐纳二极管,在保持0.41元(2000+批量价)成本优势的同时,为工程师提供了更灵活的电路设计空间。随着SOT-23封装在5G基站、新能源汽车等新兴领域的普及,该器件的市场需求预计将以年均12%的速度持续增长。
 
 

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